功能描述：MOSFET N-CH 20V 11.4A 6DFN2020MD

制造商：nexperia usa inc.

系列：-

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：11.4A (Ta)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：900mV @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：17nC @ 10V

Vgs（最大值）：±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1220pF @ 10V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：470mW（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：16 毫欧 @ 7.9A, 4.5V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：6-DFN2020MD（2x2）

封装/外壳：6-UDFN 裸露焊盘

标准包装：1

PMPB13XNE,115

PMPB15XN,115

PMPB15XP,115

PMPB15XPH

PMPB16XN,115

PMPB19XP,115

PMPB20EN,115

PMPB20ENZ

PMPB20UN,115

PMPB20XPE